De wafel is makke fan suver silisium (Si).Algemien ferdield yn 6-inch, 8-inch, en 12-inch spesifikaasjes, de wafer wurdt produsearre basearre op dizze wafer.Silisiumwafels dy't makke binne fan healgelearders mei hege suverens troch prosessen lykas lûken en snijden fan kristal wurde wafers neamd.gebrûk binne se rûn yn foarm.Ferskate circuit elemint struktueren kinne wurde ferwurke op de silisium wafels te wurden produkten mei spesifike elektryske eigenskippen.funksjonele yntegrearre circuit produkten.Wafels geane troch in searje fan produksjeprosessen foar semiconductor om ekstreem lytse sirkwystruktueren te foarmjen, en wurde dan knipt, ferpakt en hifke yn chips, dy't in protte brûkt wurde yn ferskate elektroanyske apparaten.Wafermaterialen hawwe mear as 60 jier fan technologyske evolúsje en yndustriële ûntwikkeling belibbe, en foarmje in yndustriële situaasje dy't wurdt dominearre troch silisium en oanfolle troch nije semiconductor materialen.
80% fan 'e mobile tillefoans en kompjûters fan' e wrâld wurdt produsearre yn Sina.Sina fertrout op ymport foar 95% fan har hege-prestaasje-chips, sadat Sina elk jier US $ 220 miljard útjout om chips te ymportearjen, wat twa kear de jierlikse oalje-ymport fan Sina is.Alle apparatuer en materialen relatearre oan fotolitografysmasines en chipproduksje wurde ek blokkearre, lykas wafels, metalen mei hege suverens, etsmasines, ensfh.
Hjoed sille wy koart prate oer it prinsipe fan UV-ljocht wiskjen fan wafermasines.By it skriuwen fan gegevens, is it nedich om te inject lading yn de driuwende poarte troch it tapassen fan in hege spanning VPP oan de poarte, lykas werjûn yn de figuer hjirûnder.Om't de ynjeksjede lading net de enerzjy hat om de enerzjymuorre fan 'e silisiumoksidefilm te penetrearjen, kin it allinich de status quo behâlde, dus moatte wy de lading in bepaalde hoemannichte enerzjy jaan!Dit is wannear't ultraviolet ljocht nedich is.
As de driuwende poarte UV-bestraling ûntfangt, krije de elektroanen yn 'e driuwende poarte de enerzjy fan ultrafioele ljochtkwanten, en de elektroanen wurde hjitte elektroanen mei enerzjy om de enerzjymuorre fan' e silisiumoksidefilm te penetrearjen.Lykas werjûn yn 'e figuer, hot elektroanen penetrearje de silisium okside film, stream nei it substraat en poarte, en werom nei de wiske steat.It wiskjen kin allinich útfierd wurde troch it ûntfangen fan ultraviolette bestraling, en kin net elektroanysk wiske wurde.Mei oare wurden, it oantal bits kin allinnich feroare wurde fan "1" nei "0", en yn 'e tsjinoerstelde rjochting.D'r is gjin oare manier as it wiskjen fan de hiele ynhâld fan 'e chip.
Wy witte dat de enerzjy fan ljocht omkeard evenredich is mei de golflingte fan ljocht.Om elektroanen hjitte elektroanen te wurden en sadwaande de enerzjy te hawwen om de oksidefilm troch te dringen, is de bestraling fan ljocht mei in koartere golflingte, dat wol sizze ultrafiolette strielen, tige nedich.Om't de wistiid ôfhinklik is fan it oantal fotonen, kin de wistiid sels by koartere golflingten net ynkoarte wurde.Yn 't algemien begjint it wiskjen as de golflingte sawat 4000A (400nm) is.It berikt yn prinsipe sêding om 3000A.Under 3000A, sels as de golflingte koarter is, sil it gjin ynfloed hawwe op 'e wisketiid.
De standert foar UV-wissen is yn 't algemien om ultravioletstrielen te akseptearjen mei in krekte golflingte fan 253.7nm en in yntinsiteit fan ≥16000 μW /cm².It wiskjen kin foltôge wurde troch eksposysjetiid fariearjend fan 30 minuten oant 3 oeren.
Post tiid: Dec-22-2023